Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2Capacitate de stocare500 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate375000 IOPSMaximum Random Write Rate300
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate375000 IOPSMaximum Random Write Rate300
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt ghid de utilizareMaximum Random R
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt ghid de utilizareMaximum Random